Servicemanuals
Uporządkowując elementy półprzewodnikowe można wykorzystać kilka sposobów podziału, spośród których najważniejsze są, klasyfikacja według stopnia ich przydatności w systemach elektronicznych i energetycznych, co wiąże się z wartością produkowanej masy towarowej i klasyfikacja według zdarzeń fizycznych, które stosowano w celu osiągnięcia szczegółowych właściwości w service manuals. Podział według pożyteczności układowej wynajduje odpowiednik w stopniu zainteresowania użytkownika daną grupą składników, a więc jej podażą.
German stosowany dotąd obok krzemu dalece mu pod wieloma względami ustępuje. Wykonane z niego podstawy półprzewodnikowe mają ze względu na mniejszą szerokość pasma zabronionego znacznie większe prądy sycenia, niższe napięcie przebicia oraz znacznie niższą dozwoloną temperaturę pracy. Nie daje się również uzyskać na nim trwałych warstw dielektrycznych sporządzanych w wyniku reakcji tlenu lub azotu z germanem, dyfuzja akceptorów jest również bardziej nieznaczna i praktycznie biorąc niemożliwa do wykorzystania. Zaletą jego jednakowoż jest większa ruchliwość nośników, dzięki czemu łatwiejsze jest skonstuowanie tranzystorów mikrofalowych w service manuals. Nic też dziwnego, że ostatnio obserwuje się malenie wytwarzania elementów germanowych.
Uniwersalnie wykorzystanym towarem na podstawy półprzewodnikowe jest współcześnie krzem, którego kluczową zaletą jest mała wartość prądów nasycenia podstaw półprzewodnikowych, duża wartość natężenia przebicia, duże moce strat ze względu na wyższą maksymalną temperaturę złącza niż w przypadku germanu oraz korzystne właściwości technologiczne, porównywalne stałe dyfuzji donorów i akceptorów oraz łatwość wytwarzania trwałych warstw dialektycznych zapobiegawczych, stabilizujących właściwości powierzchniowe krzemu w service manuals. Ta ostatnia szczególna cecha wysuwa krzem na pierwsze miejsce spośród znanych dotychczas materiałów półprzewodnikowych. Arsenek galowy jest korzystniejszy ze względu na bardzo niewielkie wartości prądu nasycenia, mniejsze, co najmniej o jeden rząd niż dla krzemu, cechuje go dużo większa ruchliwość przy podobnej czystości monokryształu, jest on jednak materiałem technologicznie nieopanowanym, silnie niejednorodnym w indywidualnych kryształach i o bardzo silnie przyjmujących cechach poszczególnych kryształów.
Badanie cech różnych materiałów półprzewodnikowych wskazuje, że arsenek galowy jest najbardziej potrzebny ze względu na wspomniane wyżej cechy, praca w wyższych temperaturach, następowanie w postaci półizolacyjnej, możliwość sporządzenie półizolacyjnych obszarów przez bombardowanie jonowe przewodzącego arsenku galu, co stwarza możliwość segregowania poszczególnych elementów względem siebie, większa mobilność nośników elektronowych, dzięki czemu w tranzystorach polowych realizuje się wartości częstotliwości granicznych w service manuals. W arsenku galowym obserwuje się dodatkowo efekt promieniowania rekombinacyjego, efekt laserowe, które zapewniają kompleksowe rozstrzyganie wielu zadań w jednej płytce produkcyjnej. Z tego względu arsenek galowy ma wiele właściwości pomyślnych dla zastosowania go w układach scalonych.